大脑的磁刺激可以改善情景记忆

对过去事件和经历的记忆定义了我们是谁，但形成这些情景记忆的能力会随着年龄、某些痴呆症和脑损伤而下降。然而，格拉斯哥大学的 Mircea van der Plas 和 Simon Hanslmayr 及其同事于 9 月 28日在开放获取期刊PLOS Biology上发表的一项研究表明，低频重复经颅磁刺激(或 rTMS)通过左前额叶皮层传递当记忆形成时，大脑可以通过降低低频脑电波的功率来提高记忆性能。

根据目前对大脑和 rTMS 的影响的知识，研究人员假设它们可以改善情景记忆，并在此过程中为未来的记忆相关疗法生成目标。

研究人员首先分析了 40 名被要求记住单词列表的大学生的过去数据。一半的学生在尝试记忆单词时接受了左背外侧前额叶皮层的慢速 rTMS，而另一半则接受了大脑控制区域的 rTMS。在一项新实验中，研究人员收集了 24 名大学生的数据，他们在两种 rTMS 条件下都执行了类似的记忆任务。

对两个数据集的分析表明，在左侧前额叶皮层受到刺激时记忆的单词的记忆性能更好。检查在实验过程中记录的脑电图数据，研究人员发现，应用于前额叶区域的慢速 rTMS 导致大脑顶叶区域的低频 (β) 波功率降低，众所周知，这与注意力和感知。

由于慢 rTMS 抑制大脑活动，而前额叶皮层抑制大脑的后部区域，van der Plas 和合著者推测慢 rTMS 抑制了顶叶区域的活动，从而增强了记忆单词的编码，并且从而提高了记忆力。

van der Plas 指出，“我们的电生理结果表明，额叶刺激会影响更广泛的网络，并通过抑制顶叶区域来改善记忆形成。这些是复杂但有趣的效应，需要进一步的实验来更好地了解它们的神经基础。”

Hanslmayr 补充说：“当我们在第一项研究中看到这些影响时，我们感到非常惊讶，该研究旨在调查一个不同的问题。因此，我们需要在第二个实验中复制这些效果，看看这是否真实，而且看起来确实如此。”

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