在一项有朝一日可能使患有创伤性脑损伤、阿尔茨海默病和精神分裂症的人受益的发现中，德克萨斯州西南大学的研究人员确定了 100 多个记忆敏感神经元的特征，这些神经元在大脑中如何回忆记忆中起着核心作用。
神经外科、神经病学和精神病学副教授Bradley Lega 医学博士说，他的研究结果发表在NeuroImage杂志上，可能指向其他脑部疾病和损伤的新深度脑刺激疗法。
“它为这个问题提供了重要的启示，'你怎么知道你正在记住过去的事情，而不是经历你试图记住的新事物?'”小彼得奥唐奈大脑的成员莱加博士说研究所。
最重要的发现是，在检索记忆时，相对于其他大脑活动，放电发生的时间不同。这种被称为“相位偏移”的时间上的微小差异以前从未在人类中报道过。总之，这些结果解释了大脑如何“重新体验”一个事件，同时还可以跟踪记忆是新的东西还是以前编码的东西。
“这是迄今为止最清晰的证据，向我们展示了人类大脑在记住旧记忆和形成新记忆方面是如何工作的，”莱加博士说。
他的研究确定了大脑海马体和内嗅皮层中的 103 个记忆敏感神经元，当记忆编码成功时，它们的活动率会增加。当患者试图回忆这些相同的记忆时，同样的活动模式又回来了，尤其是非常详细的记忆。
海马体的这种活动可能与精神分裂症有关，因为海马体功能障碍是精神分裂症患者无法在记忆和幻觉或妄想之间破译的基础。通过篮球联赛博士确定的神经元是拼图为什么出现这种情况的一个重要棋子，说卡罗尔Tamminga，MD，教授和主席精神病和精神分裂症国家级专家。
“精神病患者的幻觉和妄想是真实的记忆，通过像‘正常’记忆这样的神经记忆系统进行处理，即使它们被破坏了。了解如何使用这种‘相位偏移’机制来修改这些损坏的记忆非常重要，”Taminga 博士说。
手术中有机会更多地了解人类记忆，其中植入癫痫患者大脑以绘制患者癫痫发作的电极也可用于识别与记忆有关的神经元。在这项研究中，27 名在 UT Southwestern 和宾夕法尼亚医院植入电极的癫痫患者参与了记忆任务，以生成用于大脑研究的数据。
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