全球半导体技术领导者三星电子今天宣布，它已开始量产其首款基于该公司 28 纳米 (nm) 全耗尽绝缘体上硅 (FD) 的商用嵌入式磁性随机存取存储器 (eMRAM) 产品。 -SOI)工艺技术，称为28FDS。
由于eFlash由于基于电荷存储的操作而面临可扩展性挑战，因此eMRAM是最有前途的继任者，因为其基于电阻的操作具有强大的可扩展性，同时还具有非易失性、随机访问和强耐久性等存储器半导体的突出技术特性. 通过今天的发布，三星证明了其克服技术障碍的能力，并展示了将嵌入式存储器技术进一步扩展到 28 纳米工艺节点及以上的可能性。
三星基于 28FDS 的 eMRAM 解决方案以更低的成本提供了前所未有的功率和速度优势。由于 eMRAM 在写入数据之前不需要擦除周期，因此其写入速度大约比 eFlash 快一千倍。此外，eMRAM 使用比 eFlash 更低的电压，并且在断电模式下不消耗电力，从而具有很高的电源效率。
此外，由于eMRAM模块可以通过添加最少的层数轻松插入到工艺后端，因此对工艺前端的依赖较小，易于与现有逻辑技术(例如bulk、鳍片和 FD-SOI 晶体管。借助这种插件模块概念，客户可以享受重新利用现有设计基础设施的好处，即使使用这项新增的 eMRAM 技术，同时还能节省成本。
通过与 28FD-SOI 相结合以实现更好的晶体管控制并通过体偏置控制最大限度地减少漏电流，三星的 eMRAM 解决方案将为包括微控制器单元 (MCU)、物联网 (IoT) 和人工智能在内的各种应用提供差异化优势(人工智能)。
“在克服新材料的复杂挑战后，我们为提供正确的嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术的这一成就感到非常自豪。” 三星电子代工营销副总裁 Ryan Lee 说。“通过将 eMRAM 与现有经过验证的逻辑技术集成，三星代工厂继续扩展其 eNVM 工艺组合，以提供独特的竞争优势和卓越的可制造性，以满足客户和市场需求。”
庆祝第一批 eMRAM 产品出货的仪式将于 3 月 6 日在韩国三星机兴园区举行。三星计划扩大其高密度 eNVM 解决方案的选择，包括在今年内推出 1Gb eMRAM 测试芯片。
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